當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > PV系列室溫型HgCdTe探測器

室溫型HgCdTe探測器

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

室溫型HgCdTe探測器特點：
室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；低成本；可根據(jù)客戶要求設計。

打印當前頁

發(fā)郵件給我們：ld@leadingoe.com

分享到：

產(chǎn)品介紹：

室溫型HgCdTe探測器?描述

PV-n（n表示特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是紅外光電探測器，這些裝置在2～11µm范圍內(nèi)的任意值可以達到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

室溫型HgCdTe探測器?詳細規(guī)格

特性（@ 20ºC）	單位	LD-PV-3	LD-PV-4	LD-PV-5	LD-PV-6	LD-PV-8
特性波長λop	μm	3	4	5	6	8
探測率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥8 x 10⁹ ≥6.5 x 10⁹	≥5 x 10⁹ ≥3 x 10⁹	≥2 x 10⁹ ≥1 x 10⁹	≥1 x 10⁸ ≥5 x 10⁸	≥8 x 10⁷ ≥4 x 10⁷
響應度	A/W	≥0.5	≥1	≥1	≥1	≥0.3
響應時間τ	ns	≤350	≤150	≤120	≤80	≤4
響應時間τ(加反向偏壓)	ns	≤3	≤2	≤1	≤0.7	≤0.7
并聯(lián)電阻-光學面積	Ω·cm 2	≥1	≥0.1	≥0.01	≥0.002	≥0.0001
光學面積（長×寬）或直徑 (園形)	mm x mm mm	0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	90, 0.71

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細地址：
補充說明：
驗證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯數(shù)字），如：三加四=7

上一篇 : LD-DGP多光譜多光軸測試設備下一篇 : LD-PVI系列光侵入式室溫型HgCdTe探測器

當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > PV系列室溫型HgCdTe探測器

室溫型HgCdTe探測器

簡要描述：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：